氮化硅零件厂价划算
<P>氮化硅零件概述<BR>本公司引进高科技氮化硅陶瓷制造技术的基础上按照国家标准生产的氮化硅零件,以高纯氮化硅粉为原料，利用干压及等静压成型技术（得到理想的氮化硅零件坯体密度），经1600℃以上高温烧结获得高密度、高强度氮化硅陶瓷制品。可广泛应用于机械、冶金、化工、航空、半导体等工业上作为作某些设备或产品的零部件，取得了很好的预期效果。近年来，随着制造工艺和测试分析技术的发展,氮化硅零件等氮化硅陶瓷制品的可靠性不断提高，因此应用面在不断扩大。</P>
<P><IMG src=""><BR>氮化硅零件特点<BR>1、工艺优良:氮化硅零件采用高纯氮化硅粉为原料，利用干压及等静压成型技术，经高温烧结具有高强度，硬度，致密度。轧膜成型的优点:工艺简便,轧出的膜片表面光滑,均匀,致密。但反复轧膜,常会引 入少量杂质,有时对产品电性能产生不利影响,费时也较长,不便连续化操作。
主要用涂 :薄片状电容器坯片、压电陶瓷扬声器 (蜂鸣片 ) 、滤波器坯片和厚膜电路基板 坯片等。<BR>2、性能稳定:氮化硅零件具有的耐磨，耐高温，耐腐蚀性。气压烧结
气压烧结是指把成型的氮化硅坯体置于5-12MP的氮气中在1800-2100℃下进行烧结。由于氮气压力高,因此提高了氮化硅的分解温度,选用能形成高耐火度晶间相的烧结助剂可以提高材料的高温性能。
(5)热等静压法
将氮化硅与烧结助剂的混合物粉末封装于金属或玻璃包套中,抽真空,然后通过高压气体在高温下烧结。常用压力为200MP,温度为2000℃。通过热等静压法制得的氮化硅可达理论密度,但是其工艺复杂,成本较高。
(6)反应烧结
反应烧结指将原料成型体在一定温度下通过固相,液相和气相相互间发生化学反应,同时进行致密化和规定组分的合成,得到预定的烧结体的过程。在反应烧结过程中液相的存在是非常重要的。制品在烧结前后几乎没有尺寸收缩。反应烧结的温度低于其他烧结方法的烧结温度。制成的制品中气孔率较高,机械性能较差。反应烧结得到的制品不需要昂贵的机械加工,可以制成形状复杂的制品,在工业上得到广泛应用。常用于像氮化硅,碳化硅之类的典型共价键材料的烧结。将硅粉或碳粉与粘结剂混合后成型,然后放入N2气氛或浸入熔融的硅中,使坯体中的硅或氮气或熔融硅反应来制备氮化硅、碳化硅制品.<BR>3、应用广泛：氮化硅零件可广泛应用于机械、冶金、化工、航空、半导体等工业上作为作某些设备或产品的零部件。按工艺可以分为反应烧结制品、热压制品、常压烧结制品、等静压烧结制品和反应重烧制品等。其中，反应烧结是一种常用的生产氮化硅耐火制品的方法。
反应烧结法生产氮化硅制品是将磨细的硅粉（粒度一般小于80μm），用机压或等静压成型，坯体干燥后，在氮气中加热至1350～1400℃，在烧成过程中同时氮化而制得。采用这种生产方法，原料条件和烧成工艺及气氛条件对制品的性能有很大的影响。</P>
<P><IMG src=""><BR>我们的氮化硅零件产品优势<BR>质量稳定：实行全过程质量监控，细致入微，检测！<BR>价格合理：内部成本控制，减少了开支，有利于客户！<BR>交货快捷：生产流水线，充足的备货，缩短了交货期！<BR>氮化硅零件实拍图<BR>氮化硅零件选型手册<BR>面对市场上各式各样的陶瓷材料，比如氧化铝陶瓷，氧化锆陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化铝陶瓷，氮化硼陶瓷等工业陶瓷。很多客户会感到忙绕。目前市面上的陶瓷产品选型手册和选型标准一般是按照材料的性能和应用来分类。<BR>氮化硅零件氮化硅 陶瓷的制备技术在过去几年发展很快，制备工艺主要集中在反应烧结法、热压烧结法和常压烧结法、气压烧结法等类型. 由于制备工艺不同，各类型氮化硅陶瓷具有不同的微观结构（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶间形貌以及晶间第二相含量等）。因而各项性能差别很大 。要得到性能优良的氮化硅 陶瓷材料，应制备的氮化硅 粉末. 用不同方法制备的氮化硅 粉质量不完全相同，这就导致了其在用途上的差异，许多陶瓷材料应用的失败，往往归咎于不了解各种陶瓷粉末之间的差别，对其性质认识不足。一般来说，的氮化硅 粉应具有α相含量高，组成均匀，杂质少且在陶瓷中分布均匀，粒径小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的氮化硅 粉中α相至少应占90%，这是由于氮化硅 在烧结过程中,部分α相会转变成β相，而没有足够的α相含量，就会降低陶瓷材料的强度。
反应烧结法（ RS)
是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻). 后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率< 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸的零件，成本也低，但氮化时间很长。
热压烧结法（ HPS)
是将氮化硅 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结氮化硅 陶瓷，其强度高达981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在氮化硅 陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对氮化硅 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能显著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的氮化硅 陶瓷的机械性能比反应烧结的氮化硅 要，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。
常压烧结法（ PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面，利用氮化硅 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进行气压烧结。该法目的在于采用气压能促进氮化硅 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似。
气压烧结法（ GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进氮化硅晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。<BR>氮化硅零件高韧性的层状氮化硅基复合材料，主层内加入一定量的SiC晶须，产生两级增韧效果，层状氮化硅陶瓷的断裂韧性可达20.11MPa·m1/2。 4氮化硅陶瓷的应用 由于氮化硅陶瓷的性能，它已在许多工业领域获得广泛应用。如：在机械工业中用作涡轮叶片、机械密封环、高温轴承、高速切削工具、性模具等；冶金工业中用作坩埚、燃烧嘴、铝电解槽衬里等热工设备上的部件；化学工业中用作耐蚀、耐磨零件包括球阀、泵体、燃烧器、汽化器等；电子工业中用作薄膜电容器、高温绝缘体等；航空航天领域用作雷达天线罩、发动机等；原子能工业中用作原子反应堆中的支承件和隔离件、核裂变物质的载体等。 氮化硅陶瓷具有的综合性能和丰富的资源，是一种理 想的高温结构材料，具有广阔的应用领域和市场，都在竞相研究和开发。可以预言：随着陶瓷的基础研究和新技术开发的不断进步，特别是复杂件和大型件制备技术的日臻完善，氮化硅陶瓷材料作为性能优良的工程材料将得到更广泛的应用。</P>
<P>氮化硅零件订购注意事项<BR>1、此产品不支持网上订购，由于氮化硅陶瓷产品大多数属于非标定制件，如您需要订购氮化硅零件产品请随时致电联系我们，我们一定会尽心尽力为您提供的服务。电话： <BR>2、①需要提供图纸或者样品。②需要告知订购数量③需要告知应用场合及对产品的技术要求④使用温度⑤使用介质⑥其他要注意的事项。<BR>3、如有特殊要求时请在订购产品时注明。<BR>4、当使用的场合非常重要或者环境比较复杂时，请尽量提供设计图纸。</P>
<P>氮化硅零件使用注意事项<BR>氮化硅陶瓷属于硬脆材料，在材料的加工使用过程中应注意：<BR>氮化硅 陶瓷的制备技术在过去几年发展很快，制备工艺主要集中在反应烧结法、热压烧结法和常压烧结法、气压烧结法等类型. 由于制备工艺不同，各类型氮化硅陶瓷具有不同的微观结构（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶间形貌以及晶间第二相含量等）。因而各项性能差别很大 。要得到性能优良的氮化硅 陶瓷材料，应制备的氮化硅 粉末. 用不同方法制备的氮化硅 粉质量不完全相同，这就导致了其在用途上的差异，许多陶瓷材料应用的失败，往往归咎于不了解各种陶瓷粉末之间的差别，对其性质认识不足。一般来说，的氮化硅 粉应具有α相含量高，组成均匀，杂质少且在陶瓷中分布均匀，粒径小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的氮化硅 粉中α相至少应占90%，这是由于氮化硅 在烧结过程中,部分α相会转变成β相，而没有足够的α相含量，就会降低陶瓷材料的强度。
反应烧结法（ RS)
是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻). 后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率< 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。反应烧结法适于制造形状复杂，尺寸的零件，成本也低，但氮化时间很长。
热压烧结法（ HPS)
是将氮化硅 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结氮化硅 陶瓷，其强度高达981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在氮化硅 陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对氮化硅 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能显著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的氮化硅 陶瓷的机械性能比反应烧结的氮化硅 要，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。
常压烧结法（ PLS)
在提高烧结氮气氛压力方面，利用氮化硅 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进行气压烧结。该法目的在于采用气压能促进氮化硅 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。这种方法的缺点与热压烧结相似。
气压烧结法（ GPS)
近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进氮化硅晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。 <BR></P>
